传统工艺◆下,半导体金属的电●沉积基本都是在高真空条件下进行的。尽管能得到高质量的沉积物,但工艺造价↙高、费用大,因此迫切需要探索简单、经济的电沉积工艺。科学家发现,在水¤溶液中得到的产物质量和在真空条件下的得到的基本一致,但由于动『力学的原因,这种ξ方法不能直接得到CdTe和CdSe?等合金。目前关于利用离子液体电沉积半导体金属的报道很少,但这方面的研究将很有意义,这是因为:离子液体有较低的蒸汽压,温度变化的范围可达几百度,动力学上的Ψ 障碍可以被克服;此外,离♀子液体较宽的电化学窗口还允许得到在水溶液中不可能得到的GaAs、InP?等合金以及三元混合半导体材料。
镓
镓可以从◤阴离子为AlCl3?的离子】液体中电沉积得到。镓的电沉积只能在酸性条件下进行,在电沉积过≡程中Ga3+首先还原◥为Ga+,然后再还原为单质态Ga。在〓玻碳电极上,电沉↓积过程包含瞬间的三元成核和扩散控制的成核『生长。此外,在氯化1-乙基-3-甲基咪唑和GaCl3?的混合液体中还得到了超细的GaAs。
镓的砷化物
Wicelinski?等在35~40℃下基于AlCl3?的酸性离子液体中电沉积得到了※GaAs。Carpenter等在加入AsCl3?的GaCl3?离子液体中也▲得到了∞GaAs,但质量并不↘很好,不过可以通过热退火工艺改善合金的质量。
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